삼성전자의 중국 시안 반도체 사업장 2기 라인 건설이 기공되었다. 

[안경하 기자 @이코노미톡뉴스] 이는 세계적으로 3D 낸드플래시(V-NAND) 수요 증가에 따른 대응책으로 삼성전자는 오늘 28일(수), 중국 산시성(陕西省) 시안시(西安市)에서 '삼성 중국 반도체 메모리 제2라인 기공식'을 열었다. 

이미 삼성은 지난해 8월에 시안 반도체 2기 라인 투자를 위해 산시성 정부와 MOU를 체결해 3년간 총 70억불(한화 약 7조 4,697억 원)을 투자하기로 결정했다.

이번 2기 투자로 삼성은 낸드플래시의 최대 수요처인 중국시장에 좀 더 융통적인 시장 대응력을 갖출 것으로 기대하고 있다.

삼성전자 김기남 사장은 기공 기념사에서 "시안 2기 라인의 성공적인 운영으로 최고의 메모리 반도체 제품 생산과 함께 차별화된 솔루션을 고객에게 제공하여 글로벌 IT 시장 성장에 지속 기여하겠다"고 밝혔다.

삼성전자 시안 반도체 사업장은 2012년 1기 기공식을 시작으로 2013년 전자연구소 설립, 2014년에는 1세대 V-NAND 양산 및 2015년 後공정 라인 완공, 2018년 2기 증설까지 지속적인 투자를 진행하고 있다.다.